深圳市力振半导体有限公司 main business:半导体功率器件、卫星导航定位系统、集成电路的研发与销售；经营进出口业务（以上涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 440301106139308
- 存续
- 有限责任公司
- 2012-04-10
- 惠国栋
- 131.5000万元
- 2012-04-10 至 永久
- 深圳市市场监督管理局
- 深圳市宝安区82区玉律路丰泰楼二至九层1号楼803号
- 半导体功率器件、卫星导航定位系统、集成电路的研发与销售；经营进出口业务（以上涉及法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN104733518A | 一种半导体功率器件的结构 | 2015.06.24 | 一种半导体功率器件的结构。本发明公开了一种栅控晶体管与FRD集成在同一芯片的器件结构，FRD部份有以 |
| 2 | CN104600125A | 一种快恢复二极管的器件结构 | 2015.05.06 | 本发明公开了一种快恢复二极管的器件结构，器件的有源区包括以下特征：表面至少有一部份为p型区，深度大于 |
| 3 | CN104465732A | 一种半导体功率器件的结构 | 2015.03.25 | 本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区最少由三种不同的单元组成，其中一种单元是快 |
| 4 | CN104465791A | 一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法 | 2015.03.25 | 本发明公开了一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法，器件的有源区的单元结构包括以下特征：含有至少一个 |
| 5 | CN104238262A | 一种用半导体晶圆片来制备的掩模版 | 2014.12.24 | 本发明公开了一种用半导体晶圆片透过蚀刻方法来制备掩模版的方法，包括以下特征：晶圆片的厚度为50μm至 |
| 6 | CN104167436A | 一种半导体功率器件的结构 | 2014.11.26 | 本发明公开了一种半导体功率器件的结构，包括以下特征：有源区的单元包含有至少一个深沟槽，至少一个浅沟槽 |
| 7 | CN104078497A | 一种功率场效应晶体管器件的结构 | 2014.10.01 | 本发明公开了一种功率场效应晶体管器件的结构，包括以下特征：有源区的单元结构由两部分组成，其中一部分与 |
| 8 | CN103839999A | 一种功率场效应晶体管的结构与制备方法 | 2014.06.04 | 本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管(LDMOS)功率器件基本单元的新结构，包括以下特征：外延层置 |
| 9 | CN103730467A | 一种半导体功率器件的结构与制备方法 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种功率场效应晶体管器件的新结构，包括以下特征：沟槽式场效应晶体管与横向的场效应晶体管( |
| 10 | CN103730497A | 一种芯片尺寸封装功率器件的结构 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种芯片尺寸封装的功率场效应晶体管器件的新结构，包括以下特征：器件的源极，漏极和栅极金属 |
| 11 | CN103730493A | 一种半导体功率器件的结构 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种LDMOS型功率器件的新结构，包括以下特征：外延层置于高掺杂剂衬底上，器件的导电沟道 |
| 12 | CN103730494A | 一种芯片尺寸封装半导体功率器件的结构 | 2014.04.16 | 本发明公开了一种芯片尺寸封装的沟槽式功率场效应晶体管器件的新结构，包括以下特征：器件的源极，漏极和栅 |
| 13 | CN103632964A | 一种制备沟槽半导体功率器件的方法 | 2014.03.12 | 发明公开了一种制备沟槽半导体功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对N型衬底上的P型外延层进 |
| 14 | CN103632965A | 一种制备沟槽栅控功率器件的方法 | 2014.03.12 | 发明公开了一种制备沟槽栅控功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形 |
| 15 | CN103632963A | 一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法 | 2014.03.12 | 发明公开了一种制备沟槽栅控半导体功率器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P |
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